三安光电SiC MOSFET技术突破：1200V13mΩ主驱逆变器完成头部车企验证

三安光电(股票代码：600703)近日在投资者互动平台披露，旗下湖南三安半导体在碳化硅功率器件领域取得重要进展。公司研发的主驱逆变器用SiC MOSFET产品已完成从1200V/16mΩ到1200V/13mΩ的技术迭代，这一突破性进展已通过国内领先新能源汽车制造商的模块验证测试。

据了解，该低阻抗SiC MOSFET器件可显著提升电动汽车逆变器效率，降低能量损耗。技术参数显示，13mΩ的导通电阻较前代产品降低近20%，这意味着更优的热管理和更高的功率密度，对延长电动车续航里程具有实际意义。

三安光电在回复投资者问询时表示，公司正积极推进电力电子业务产业化进程，重点布局新能源汽车功率器件市场。虽然未明确给出具体量产时间表，但公司强调将持续优化产品性能，加速实现技术成果的商业化转化。

行业分析师指出，随着800V高压平台在高端电动车的普及，1200V SiC MOSFET市场需求将持续增长。三安光电此次技术突破，标志着国产功率半导体在新能源车核心部件领域取得重要进展。