DDR4涨价效应或持续至2025年底 存储厂商业绩有望持续改善

据报道，存储器大厂先后释出DDR4DRAM停产计划，无法立即升级的客户已陆续转向DDR4新供应商的验证。存储器模块业者表示，DDR4第二季终端客户追单积极，延续至下半年的销售动能仍强劲，现货价格强劲推升，甚至超过DDR5行情。预期DDR4涨价效应仍可持续到2025年底，而DDR5用量也将逐季成长，各界则推估，2026年季起，DDR4涨价动能逐季减缓。
　　AI大模型的破圈，带动端侧AI算力的需求上行，驱动高性能以太网交换机、先进存储产品、GPU及边缘计算/端侧算力芯片等多种半导体硬件的市场需求稳步增长。湘财证券指出，三星、SK海力士、美光拟退出利基型DRAM市场，利基型DRAM供需反转价格向上，2025及2026年利基型DRAM价格有望保持在中高位水平。需求端，智能手机、PC、IOT及工控板块弱复苏态势延续，叠加国产化替代仍为大势所趋，预计推动各类存储原厂端供应价格逐步上行，国内存储原厂受益。
　　据财联社主题库显示，相关上市公司中：
　　大为股份全资子公司深圳市大为创芯微电子科技有限公司主要产品有NAND、DRAM存储两大系列。DRAM产品线包含DDR3、DDR4、LPDDR4X、LPDDR5、DDR5Memorymodule产品。
　　江波龙DRAM产品以DDR4、DDR5为主，涵盖了LPDDR及DDR内存条(RDIMM、SODIMM、UDIMM等)主流产品型态。 　　据报道，存储器大厂先后释出DDR4DRAM停产计划，无法立即升级的客户已陆续转向DDR4新供应商的验证。存储器模块业者表示，DDR4第二季终端客户追单积极，延续至下半年的销售动能仍强劲，现货价格强劲推升，甚至超过DDR5行情。预期DDR4涨价效应仍可持续到2025年底，而DDR5用量也将逐季成长，各界则推估，2026年季起，DDR4涨价动能逐季减缓。
　　AI大模型的破圈，带动端侧AI算力的需求上行，驱动高性能以太网交换机、先进存储产品、GPU及边缘计算/端侧算力芯片等多种半导体硬件的市场需求稳步增长。湘财证券指出，三星、SK海力士、美光拟退出利基型DRAM市场，利基型DRAM供需反转价格向上，2025及2026年利基型DRAM价格有望保持在中高位水平。需求端，智能手机、PC、IOT及工控板块弱复苏态势延续，叠加国产化替代仍为大势所趋，预计推动各类存储原厂端供应价格逐步上行，国内存储原厂受益。
　　据财联社主题库显示，相关上市公司中：
　　大为股份全资子公司深圳市大为创芯微电子科技有限公司主要产品有NAND、DRAM存储两大系列。DRAM产品线包含DDR3、DDR4、LPDDR4X、LPDDR5、DDR5Memorymodule产品。
　　江波龙DRAM产品以DDR4、DDR5为主，涵盖了LPDDR及DDR内存条(RDIMM、SODIMM、UDIMM等)主流产品型态。 加载全文