中微半导体重磅突破：70:1高深宽比刻蚀技术获国家发明专利授权

国内半导体设备龙头中微公司(股票代码：688012)近日再获技术突破，其自主研发的"反应腔、高深宽比结构及其形成方法"技术正式获得国家知识产权局发明专利授权（专利号：CN202510550377.2），该专利将于2025年7月25日正式生效。

这项核心技术主要应用于半导体芯片制造中的高精度刻蚀工艺，其创新点包括：

• 采用双射频源设计（高频+≤300kHz低频）实现等离子体精准控制
• 创新性气体配比方案（刻蚀气体与碳氟气体＞9:1）
• 突破性实现70:1以上的超高深宽比刻蚀
• 低温工艺（＜30°C）保障基片完整性

根据2024年报披露，中微公司研发投入达14.18亿元，同比增长73.59%，持续的高强度研发使其年内已累计获得85项专利授权。公司现有专利储备达1522项，涵盖半导体设备核心技术各个领域。

作为中国半导体设备国产化先锋，中微公司已形成完善的产业布局：

• 对外投资29家产业链相关企业
• 参与66项重大招投标项目
• 持有98项注册商标及76项行业行政许可

此项专利的获批，标志着我国在先进刻蚀设备领域取得重要突破，为5nm以下制程芯片制造提供了关键技术支撑。

数据来源：天眼查专业版数据库