时代电气SiC技术重大突破：第四代沟槽栅定型和8英寸晶圆布局加速

中国轨道交通装备龙头企业时代电气(688187.SH)在碳化硅(SiC)功率半导体领域取得重要进展。据7月23日投资者互动平台披露，该公司已建成6英寸SiC芯片量产线，年产能达2.5万片。值得注意的是，其第四代沟槽栅SiC产品已完成设计定型，技术指标达到国际先进水平，同时第五代SiC技术研发已完成战略布局。

在产品矩阵方面，时代电气已形成完整的SiC功率器件解决方案：包括3300V高压平面栅SiC MOSFET、1200V精细平面栅SiC MOSFET及1200V SBD等系列产品。其中1200V沟槽栅SiC MOSFET关键性能参数已实现与国际龙头厂商对标。公司SiC MOSFET产品线覆盖650V至6500V全电压等级，特别适用于新能源汽车电驱系统、光伏逆变器、风力发电等对功率密度和效率要求严苛的应用场景。

产能扩张计划方面，株洲半导体产业基地三期项目将于2024年11月正式动工，预计2025年5月完成主体厂房封顶，同年下半年开始设备安装调试。该项目聚焦8英寸SiC晶圆制造，建成后将显著提升公司在第三代半导体领域的市场竞争力。