晶合集成获关键技术突破：新型半导体器件制备方法获国家发明专利授权

近日，国内半导体行业领军企业合肥晶合集成电路股份有限公司（股票代码：688249）再获技术突破，其自主研发的"半导体器件及其制备方法"正式获得国家知识产权局发明专利授权（专利号：CN202510260244.1）。这一重要专利的取得标志着公司在半导体制造工艺领域的技术实力进一步提升。 该专利创新性地提出了一种优化的半导体器件制造工艺方案。其核心技术在于：通过采用多层刻蚀停止层与硬掩模层的组合结构，结合一体化的刻蚀工艺和分步干法刻蚀工艺，显著提高了金属互连结构的精准度和可靠性。专利摘要显示，该方法包含衬底处理、多层结构构建、精准刻蚀、金属互连形成及表面处理等关键步骤，通过优化工艺流程，有效提升了半导体器件的整体性能和产品良率。 值得关注的是，晶合集成在技术创新方面持续保持高强度投入。根据2024年度财报披露，公司全年研发投入达12.84亿元，同比增长21.41%。截至当前，公司今年已累计获得224项专利授权，较去年同期增长17.28%，展现出强劲的技术创新能力。 天眼查数据显示，作为国内领先的集成电路制造企业，晶合集成已构建了完善的专利保护体系，目前公司持有专利总数达1188项，同时拥有52项商标权和21个重要行政许可。此外，公司通过8家子公司积极开展产业布局，参与各类招投标项目达628次，业务发展态势良好。 业内专家分析指出，此项专利技术的应用有望进一步提升晶合集成在先进半导体制造领域的市场竞争力，同时也为我国半导体产业链的自主可控发展提供了重要的技术支撑。