晶合集成获得发明专利授权：“嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权，专利名为“嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法”，专利申请号为CN202510631459.X，授权日为2025年8月19日。

专利摘要：本发明公开了一种嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法，属于半导体领域，本发明首先在半导体结构的层间介质层上制备金属间电介质层；在金属间电介质层内制备金属线路和电极板；继续制备阻挡层；采用蚀刻工艺打开电极板一侧区域的金属间电介质形成凹槽；依次沉积阻变材料和导电金属材料；平坦化并停留在阻挡层上，得到嵌入式存储结构。本发明通过全新的工艺顺序制备了改变电极板方位的阻变存储单元，以此结构制备阻变存储器，使得阻变式阻变存储器整体紧凑，也可以兼容现有技术中MOS制程。经过仿真验证，本发明可靠性、可操作性强，具有较高的制作良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权244个，较去年同期增加了15.09%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1219条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成(网信算备310104345710301240019号)，不构成投资建议。

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权，专利名为“嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法”，专利申请号为CN202510631459.X，授权日为2025年8月19日。

专利摘要：本发明公开了一种嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法，属于半导体领域，本发明首先在半导体结构的层间介质层上制备金属间电介质层；在金属间电介质层内制备金属线路和电极板；继续制备阻挡层；采用蚀刻工艺打开电极板一侧区域的金属间电介质形成凹槽；依次沉积阻变材料和导电金属材料；平坦化并停留在阻挡层上，得到嵌入式存储结构。本发明通过全新的工艺顺序制备了改变电极板方位的阻变存储单元，以此结构制备阻变存储器，使得阻变式阻变存储器整体紧凑，也可以兼容现有技术中MOS制程。经过仿真验证，本发明可靠性、可操作性强，具有较高的制作良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权244个，较去年同期增加了15.09%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1219条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成(网信算备310104345710301240019号)，不构成投资建议。