晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法及其半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制备方法及其半导体结构”，专利申请号为CN202510519340.3，授权日为2025年8月12日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法及其半导体结构，具体涉及半导体技术领域。半导体结构的制备方法包括：提供初始半导体结构，初始半导体结构上沉积有金属层；对金属层进行退火处理，生成金属硅化合物；采用清洗液对初始半导体结构进行处理，清洗液为硫酸、过氧化氢和亚铁离子的混合溶液；采用第二清洗液对初始半导体结构进行处理，第二清洗液为盐酸、过氧化氢和水的混合溶液；对金属硅化合物进行第二退火处理，生成自对准硅化物层。采用本发明的半导体结构的制备方法可降低未反应金属层的去除温度，避免高温对金属硅化合物热稳定的影响和损伤，提高产品良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权235个，较去年同期增加了16.92%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1215条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成(网信算备310104345710301240019号)，不构成投资建议。

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制备方法及其半导体结构”，专利申请号为CN202510519340.3，授权日为2025年8月12日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法及其半导体结构，具体涉及半导体技术领域。半导体结构的制备方法包括：提供初始半导体结构，初始半导体结构上沉积有金属层；对金属层进行退火处理，生成金属硅化合物；采用清洗液对初始半导体结构进行处理，清洗液为硫酸、过氧化氢和亚铁离子的混合溶液；采用第二清洗液对初始半导体结构进行处理，第二清洗液为盐酸、过氧化氢和水的混合溶液；对金属硅化合物进行第二退火处理，生成自对准硅化物层。采用本发明的半导体结构的制备方法可降低未反应金属层的去除温度，避免高温对金属硅化合物热稳定的影响和损伤，提高产品良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权235个，较去年同期增加了16.92%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1215条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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